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太阳能电池片虚焊、过焊原因与影响
1.焊接温度过多或助焊剂涂抹过少或速度过快会导致虚焊 2.焊接温度过高或焊接时间过长会导致过焊现象.
对太阳能组件的影响： 1.虚焊在短时间出现焊带与电池片脱层，影响组件功率衰减或失效, 2.过焊导致电池片内部电极被损坏，直接影响组件功率衰减降低组件寿命或造成报废 预防措施： 1.确保焊接机温度，北京柔性太阳能电池片哪里好，北京柔性太阳能电池片哪里好、助焊剂喷射量和焊接时间的参数设定. 并要定期检查，北京柔性太阳能电池片哪里好, 2.返修区域要确保烙铁的温度、焊接时间和使用正确的助焊笔涂抹助焊剂. 3.加强EL检验力度，避免不良漏失下一工序
切成小片主要是为了匹配电压。
由于禁带宽度对于太阳能电池是恒定的所以，一般来说不论电池切割成多少分电压都不变，有了这个性质 为了得到高电压的，那么就可以把完整电池片切割开N粉，然后把这些小片子串联起来，就这就得到了N倍的电压。
当然相应的电流就缩小了N分之一，因为功率是不会变化的。
至于电阻一般不太考虑的。
单晶和多晶本质上都是硅，只不过源包排列上面有些区别，做成电池片了，在某种意义上可以认为是一样的。
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多晶硅薄膜太阳能电池
通常的晶体硅太阳能电池是在厚度350～450μm的高质量硅片上制成的，这种硅片从提拉或浇铸的硅锭上锯割而成。因此实际消耗的硅材料更多。为了节省材料，人们从70年代中期就开始在廉价衬底上沉积多晶硅薄膜，但由于生长的硅膜晶粒大小，未能制成有价值的太阳能电池。为了获得大尺寸晶粒的薄膜，人们一直没有停止过研究，并提出了很多方法。目前制备多晶硅薄膜电池多采用化学气相沉积法，包括低压化学气相沉积（LPCVD）和等离子增强化学气相沉积（PECVD）工艺。此外，液相外延法（LPPE）和溅射沉积法也可用来制备多晶硅薄膜电池。化学气相沉积主要是以SiH2Cl2、SiHCl3、Sicl4或SiH4,为反应气体,在一定的保护气氛下反应生成硅原子并沉积在加热的衬底上，衬底材料一般选用Si、SiO2、Si3N4等。
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